2022西北工业大学自命题考研大纲：882半导体物理与器件

　　题号：

　　《半导体物理与器件》考试大纲

　　考试内容

　　1. 半导体中的电子状态：半导体晶体结构与化学键性质;半导体中电子状态与能带;电子的运动与有效质量;空穴和回旋共振;元素半导体和典型化合物半导体的能带结构。

　　2. 半导体中杂质和缺陷能级：元素半导体中的杂质能级;化合物半导体中的杂质能级、位错和缺陷能级。

　　3. 半导体中载流子的统计分布：状态密度及Fermi能级;载流子统计分布;本征和杂质半导体的载流子浓度;补偿半导体的载流子浓度;简并半导体的定义。

　　4. 半导体的导电性：载流子的漂移运动;迁移率及载流子的散射;迁移率与杂质浓度和温度的关系;电阻率与杂质浓度和温度的关系;强场效应与热载流子。

　　5. 非平衡载流子：非平衡载流子的产生与复合;非平衡载流子寿命;准费米能级;复合理论及陷阱效应;非平衡载流子的扩散与漂移;爱因斯坦关系及连续性方程。

　　6. pn结理论：空间电荷区的形成;不同偏压下的pn结能带图及参数变化;内建电势差、势垒电容的定义;单边突变结的特性与属性。

　　7. pn结二极管基本工作原理：理想pn结电流-电压关系;不同偏压下的pn结电荷流动机制;空间电荷区边缘少子浓度的边缘条件;短二极管及扩散电容;产生与符合电流;雪崩击穿机制。

　　8. 金-半异质结：肖特基势垒二极管在不同偏压下的能带图;肖特基势垒二极管的原理;欧姆接触及隧道效应;二维电子气的定义。

　　9. 双极晶体管基本工作原理：双极晶体管的基本结构、原理及少数载流子分布;低频电流增益和非理想效应;双极晶体管的等效电路模型;频率特性和开关特性。

　　10. 金属-氧化物-半导体场效应结构物理基础：MOS结构的物理性质;能带结构与空间电荷区;平带电压与阈值电压;电容电压特性。

　　11. MOSFET基本工作原理：MOSFET基本结构;MOSFET电流电压关系;衬底偏置效应;MOSFET的频率特性;闩锁现象。

　　12. MOSFET器件的深入概念：MOSFET中的非理想效应;MOSFET的按比例缩小理论;小尺寸器件的阈值电压;MOSFET器件的击穿特性。

　　13. 结型场效应晶体管基本工作原理：JFET和MESFET的基本工作原理;内建夹断电压和夹断电压的定义;JFET非理想效应;